明佳达电子供应 ST【STL135N8F7AG】STripFET™ F7 功率 MOSFET 晶体管随着全球电子设备对高效能、小型化和节能需求的持续增长，功率半导体器件的创新成为行业发展的核心驱动力。【深圳市明佳达电子有限公司】作为国际知名的电子元器件分销商，长期供应ST 高性能功率MOSFE…
明佳达电子供应 ST【STL135N8F7AG】STripFET™ F7 功率 MOSFET 晶体管
随着全球电子设备对高效能、小型化和节能需求的持续增长，功率半导体器件的创新成为行业发展的核心驱动力。【深圳市明佳达电子有限公司】作为国际知名的电子元器件分销商，长期供应ST 高性能功率MOSFET——STL135N8F7AG。该器件隶属于STripFET™ F7系列，凭借其卓越的能效表现和可靠性，为工业电源、消费电子、新能源及汽车电子等领域提供了更优的解决方案。
一、产品概述：STL135N8F7AG核心特性
STL135N8F7AG是一款N沟道功率MOSFET，采用ST专有的STripFET™ F7技术，专为高频率开关和高效能转换而设计。其关键参数如下：
系列：STripFET™ F7
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.6 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：103 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6800 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）：4.8W（Ta），135W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装：PowerFlat™（5x6）
封装/外壳：8-PowerVDFN
二、典型应用场景
STL135N8F7AG凭借其高性能，可广泛应用于以下领域：
工业电源：服务器电源、通信基站电源等高效率AC/DC转换模块。
新能源系统：光伏逆变器、储能系统（BESS）中的DC/DC变换器。
汽车电子：车载充电机（OBC）、电机驱动、LED照明驱动。
消费电子：快充适配器、无线充电设备，助力实现小型化与高能效。
三、明佳达电子为STL135N8F7AG提供以下支持：
品质保障：明佳达电子拥有稳固可靠的供货渠道，严格把控供应链，确保供应产品的稳定性和可靠性。
充足库存供应：明佳达电子备有充足的 STL135N8F7AG 库存，可满足客户小批量样品和大批量采购需求。
快速交货： 明佳达电子依托高效的物流体系，确保产品快速交付至客户手中。
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