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A1P35S12M3采用六组拓扑结构，采用带 NTC 的 ACEPACK™ 1 封装、集成了意法半导体先进的沟槽栅极场截止技术。这种新型 IGBT 技术在传导损耗和开关损耗之间实现了最佳折衷，最大限度地降低了开关损耗。导通损耗和开关损耗之间的最佳折衷，最大限度地提高了任何转换器系统的效率，最高可达 20 kHz。A1P35S12M3采用DBC 铜 Al2O3 铜，六组拓扑结构，1200 V、35 A IGBT 和二极管，软快速恢复二极管，集成 NTC。

产品属性

IGBT 类型：沟槽型场截止

配置：三相反相器

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35 A

功率 - 最大值：250 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，35A

电流 - 集电极截止（最大值）：100 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)：2.154 nF @ 25 V

输入：标准

NTC 热敏电阻：是

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：模块

供应商器件封装：ACEPACK™ 1

应用

• 变频器

• 工业

• 电机驱动

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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