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A1C15S12M3是一种转换器-逆变器制动器 (CIB) 拓扑，采用 ACEPACK™ 1封装中的转换器-逆变器制动器（CIB）拓扑，集成了意法半导体先进的沟槽栅极场致停技术。这种新型 IGBT 技术是传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷方案，最大限度地提高了任何转换器系统的效率，最高可达 20 kHz。A1C15S12M3采用DBC Cu Al2O3 Cu，变流器逆变器制动拓扑，1600 V，用于变流器的极低压降整流器，1200 V、15 A IGBT 和二极管，软快速恢复二极管，集成 NTC。

产品属性

IGBT 类型：沟槽型场截止

配置：三相反相器，带制动器

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15 A

功率 - 最大值：142.8 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，15A

电流 - 集电极截止（最大值）：100 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)：985 pF @ 25 V

输入：三相桥式整流器

NTC 热敏电阻：是

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：模块

供应商器件封装：ACEPACK™ 1

应用

• 变频器

• 电机驱动器

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