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IXFP14N85XM 是一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于 Ultra-Junction X-Class 系列。该器件设计用于高电压和高电流应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于电源管理、工业控制、电动车辆（EV）和可再生能源系统等领域。

IXFP14N85XM 产品特性

高耐压能力：最大漏源电压（Vds）为 850V，适用于高电压应用。

低导通电阻：Rds(on) 为 0.42Ω @ Vgs=10V，减少导通状态下的功率损耗。

高电流承载能力：最大漏极电流（Id）为 14A，满足高功率密度设计需求。

低栅极电荷：Qg 为 62nC，优化开关性能，减少开关过程中的能量损耗。

优异的热性能：采用 TO-220 封装，提供良好的散热性能。

宽工作温度范围：-55°C 至 150°C，适用于多种工业和汽车应用场景。

IXFP14N85XM 产品属性

制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 850 V

Id-连续漏极电流: 14 A

Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V

Qg-栅极电荷: 30 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 460 W

通道模式: Enhancement

商标名: HiPerFET

应用范围

IXFP14N85XM 广泛应用于需要高电压、高效率和高可靠性的功率电子系统，包括但不限于：

工业电源：作为主开关元件，提供高效的功率转换能力。

不间断电源（UPS）：确保电力供应的稳定性和可靠性。

光伏逆变器：用于 DC-AC 转换，实现太阳能能量的高效输出。

电动车充电系统：高耐压和低导通电阻特性使其成为理想的功率开关器件。

电机驱动器：如工业自动化设备中的变频驱动器（VFD）和伺服驱动器。

电源适配器：适用于高性能笔记本电脑电源适配器和服务器电源系统。

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