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深圳市明佳达电子有限公司
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产品分类

集成电路（IC）

以太网 滑动开关 触觉开关 PCIe 桥接控制器 嵌入式 - 模块化系统 - SOM I²C总线开关 I³C 智能开关和扩展器 DDR5 寄存时钟驱动器 接口 - 触控驱动器 RS-232接口集成电路 视频放大器 CAN 收发器 服务器管理处理器 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

可调谐滤波器 带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 无线通信芯片 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 双极（BJT）晶体管 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 升压控制器 以太网供电（PoE）控制器

连接器

LGA 插座连接器 压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器

传感器

电容式传感器 加速度计 磁阻传感器 ​角度传感器 霍尔效应开关 电感式传感器 霍尔效应锁存器和开关 生物传感器 飞行时间传感器 传感器信号调节器 光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

嵌入式解决方案

首页 /分立半导体/IGBT 晶体管
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：STGB10NB40LZT4

商品名称：STGB10NB40LZT4

数据手册：STGB10NB40LZT4.pdf

品牌：ST

年份：23+

封装：TO-263-3

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
ST
型号
STGB10NB40LZT4
封装
TO-263-3
描述
IGBT 440 V 20 A 150 W 表面贴装型 D2PAK

产品描述

STGB10NB40LZT4采用基于专利带状布局的最新高压技术，意法半导体采用基于专利带状布局的最新高压技术，设计出了先进的 IGBT 系列、PowerMESH性能。内置集电极齐纳显示出非常精确的有源箝位，而栅极-发射极齐纳栅极-发射极齐纳提供 ESD 保护。


产品属性

电压 - 集射极击穿（最大值）：440 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：40 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.8V @ 4.5V，10A

功率 - 最大值：150 W

开关能量：2.4mJ（开），5mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：28 nC

25°C 时 Td（开/关）值：1.3µs/8µs

测试条件：328V，10A，1 千欧，5V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK


应用

• 交换应用

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型号

品牌

封装

数量

描述

IKP08N65H5

INFINEON

PG-TO220-3

5000

650V、8A、TRENCHSTOP ™ 5 快速 IGBT晶体管，PG-TO220-3

IKA15N65F5

INFINEON

PG-TO220-3

5000

650V、15A、IGBT晶体管、PG-TO220-3

IGP40N65F5

INFINEON

PG-TO220-3

5000

650V、40A、TRENCHSTOP™ 5 IGBT 分立器件，PG-TO220-3

STGB30M65DF2

ST

D2PAK

5000

沟槽栅极场截止型650 V、30 A低损耗M系列IGBT，采用D²PAK封装

STGB10NB37LZT4

ST

D2PAK-3

5000

IGBT 440 V 20 A 125 W 表面贴装型 D2PAK

RGS80TSX2HRC11

ROHM

TO-247N-3

5000

1200V，40A，场截止沟槽型IGBT晶体管，TO-247N-3

RGS30TSX2DHRC11

ROHM

TO-247N-3

5000

1200V、15A、沟槽型场截止 IGBT晶体管，TO-247N-3

AFGHL25T120RWD

ON

TO-247-3

5000

1200V、25A、汽车 IGBT 晶体管，TO-247-3

IXYP50N65C3

IXYS

TO-220-3

5000

650V，用于 20-60kHz 开关的极光穿透 IGBT晶体管，TO-220-3

IXYH80N90C3

IXYS

TO-247-3

5000

900V，165A，用于 20-50 kHz 开关的高速 IGBT晶体管，TO-247-3

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗？

    答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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    答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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    答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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ST

ST

意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%；营业…

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