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深圳市明佳达电子有限公司
型号

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

服务电话:86-755-83294757

产品分类

集成电路（IC）

以太网 滑动开关 触觉开关 PCIe 桥接控制器 嵌入式 - 模块化系统 - SOM I²C总线开关 I³C 智能开关和扩展器 DDR5 寄存时钟驱动器 接口 - 触控驱动器 RS-232接口集成电路 视频放大器 CAN 收发器 服务器管理处理器 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

可调谐滤波器 带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 无线通信芯片 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 双极（BJT）晶体管 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 升压控制器 以太网供电（PoE）控制器

连接器

LGA 插座连接器 压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器

传感器

电容式传感器 加速度计 磁阻传感器 ​角度传感器 霍尔效应开关 电感式传感器 霍尔效应锁存器和开关 生物传感器 飞行时间传感器 传感器信号调节器 光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

嵌入式解决方案

首页 /分立半导体/IGBT 晶体管
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：STGD10HF60KD

商品名称：STGD10HF60KD

数据手册：STGD10HF60KD.pdf

品牌：ST

年份：23+

封装：TO-252-3

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
ST
型号
STGD10HF60KD
封装
TO-252-3
描述
IGBT 600 V 18 A 62.5 W 表面贴装型 DPAK

产品描述

STGD10HF60KD器件采用先进的 PowerMESH™工艺，二极管则采用 Turbo 2 超高速高压技术。这种相结合，在传导损耗和开关导通损耗和开关性能之间实现了很好的平衡使该产品成为各种高压应用的理想选择。


产品属性

电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：18 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：30 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.75V @ 15V，5A

功率 - 最大值：62.5 W

开关能量：45µJ（开），105µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：23 nC

25°C 时 Td（开/关）值：9.5ns/87ns

测试条件：400V，5A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：50 ns

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK


应用

• 高频逆变器

• 硬开关和谐振拓扑结构中的 SMPS 和 PFC谐振拓扑结构

• 电机驱动器

• 喷射系统

相关联产品

型号

品牌

封装

数量

描述

IKP08N65H5

INFINEON

PG-TO220-3

5000

650V、8A、TRENCHSTOP ™ 5 快速 IGBT晶体管，PG-TO220-3

IKA15N65F5

INFINEON

PG-TO220-3

5000

650V、15A、IGBT晶体管、PG-TO220-3

IGP40N65F5

INFINEON

PG-TO220-3

5000

650V、40A、TRENCHSTOP™ 5 IGBT 分立器件，PG-TO220-3

STGB30M65DF2

ST

D2PAK

5000

沟槽栅极场截止型650 V、30 A低损耗M系列IGBT，采用D²PAK封装

STGB10NB37LZT4

ST

D2PAK-3

5000

IGBT 440 V 20 A 125 W 表面贴装型 D2PAK

RGS80TSX2HRC11

ROHM

TO-247N-3

5000

1200V，40A，场截止沟槽型IGBT晶体管，TO-247N-3

RGS30TSX2DHRC11

ROHM

TO-247N-3

5000

1200V、15A、沟槽型场截止 IGBT晶体管，TO-247N-3

AFGHL25T120RWD

ON

TO-247-3

5000

1200V、25A、汽车 IGBT 晶体管，TO-247-3

IXYP50N65C3

IXYS

TO-220-3

5000

650V，用于 20-60kHz 开关的极光穿透 IGBT晶体管，TO-220-3

IXYH80N90C3

IXYS

TO-247-3

5000

900V，165A，用于 20-50 kHz 开关的高速 IGBT晶体管，TO-247-3

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗？

    答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗？

    答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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    答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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ST

ST

意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%；营业…

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