ZSSC4151CE6T是一款高精度傳感器信號調節(jié)器,支持多種橋式傳感器,其通過內置微控制器和校準算法實現信號處理,提供模擬電壓輸出和 I2C / ZACwire ?數字接口。以下是其核心特性:
對傳感器偏移、靈敏度、溫度漂移和非線性進行數字補償
可調節(jié)至幾乎所有全橋或半橋傳感器
模擬增益為 200,使用數字變焦選件支持量程低至 1mV/V 的傳感器
輸出選項:比率式 12 位模擬電壓輸出(例如,5-95% 或 10-90%),帶可自由調節(jié)的鉗位或 ZACwire? 數字單線接口 (OWI)
溫度補償:內部或外部二極管、電橋外部串聯電阻或 RTD
傳感器通過內部電壓偏置
所有模塊引腳均提供高達 40V 的高電壓和反極性保護:VDDE、VSSE 和 AOUT
最大電源電流:7mA
AOUT 短路保護
通過用戶定義的寄存器實現可追溯性
核心功能
ZSSC4151CE6T專為電阻式橋式傳感器設計,提供高精度信號調理,具備數字補償功能,可校正傳感器偏移、靈敏度、溫度漂移和非線性誤差,校正參數存儲于內置 EEPROM 中。 ?
應用場景
ZSSC4151CE6T專為汽車電子系統(tǒng)設計,可降低系統(tǒng)成本并提升可靠性,適用于溫度、壓力、位移等傳感器信號調理。
型號
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領先的科技實現人類的夢想。結合了日立與三菱電機在半導體領域上的豐富經驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構建的常閉器件。該晶體管結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下:晶體管極性:N-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標準的 PQFN88 封裝,具有 Kelvin 源和通用源封裝配置?!?/span>AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行閃存,由Renesas生產,支持單/雙/四線I/O、QPI和DTR接口,適用于工業(yè)、消費電子等領域。該器件具有以下特性:通用兼容的引腳排列和命令集標準塊架構支持雙 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高達 133MHz雙倍傳輸速率(DTR)高達 84MHz…AT25SF2561C-MWUB
AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行閃存,支持單路、雙路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作,適用于工業(yè)、消費類和聯網應用。其技術參數如下:安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:DFN-8系列:AT25xF2561C存儲容量:256 Mbit電源電壓-最小:2.7 V電源電壓-最大:3.6…AT25QF2561C-SXUB
AT25QF2561C-SXUB 256Mbit串行外設接口(SPI)NOR閃存器件設計用于各種大容量工業(yè)、消費類和聯網應用。AT25QF2561C-SXUB可用于將從閃存啟動到嵌入式或外部RAM的程序存儲器存儲,和/或用于直接從閃存執(zhí)行(XiP)中執(zhí)行代碼。為了實現快速執(zhí)行,AT25QF2561C-SXUB支持高達13…AT25QF2561C-MWUB
AT25QF2561C-MWUB是一款 256Mbit 串行外設接口(SPI)閃存器件,用于各種大容量工業(yè)、消費電子和連接應用。 它可以儲存從閃存到嵌入式或外部 RAM 的程序內存,和/或直接從閃存執(zhí)行代碼(就地執(zhí)行(XiP))。 為了實現快速執(zhí)行,AT25QF2561C-MWUB支持四通道 SPI 和 QPI 接…電話咨詢:86-755-83294757
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