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IPB095N20NM6功率MOSFET是一款N沟道正常电平MOSFET，采用PG-TO263-3封装。它具有优良栅极电荷 xRDS(on) 积 (FOM)、极低反向恢复电荷 (Qrr) 和低导通电阻RDS(on) 。该产品符合IEC61249‑2‑21规定的无卤素要求，根据J‑STD-020标准分类潮湿敏感度等级为 (MSL 1) 。IPB095N20NM6非常适合可再生能源、电机控制、音频放大器和工业应用。

关键参数

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Ta），116A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.7 毫欧 @ 62A，15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 186µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：66 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5500 pF @ 100 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），300W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-TO263-3

应用领域

IPB095N20NM6典型应用包括工业与消费类电池管理系统（BMS）、可再生能源、电机控制及驱动系统、电源供应等。 ‌

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