SCT016H120G3AG器件是一款1200 V 汽車級碳化硅功率 MOSFET 晶體管，采用ST先進的第三代SiC MOSFET技術開發(fā)而成，具有高開關速度和堅固的內建體二極管，適用于高頻應用。此外，SCT016H120G3AG符合AEC-Q101標準，適用于汽車電子領域。
技術參數
產品：SCT016H120G3AG
封裝 / 箱體：H2PAK-7
晶體管極性：N-Channel
通道數量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流：112 A
Rds On-漏源導通電阻：22 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：3 V
Qg-柵極電荷：150 nC
最小工作溫度：- 55 C
最大工作溫度：+ 175 C
Pd-功率耗散：652 W
通道模式：Enhancement
資格：AEC-Q101
配置：Single
下降時間：23 ns
封裝：Reel
封裝：Cut Tape
封裝：MouseReel
產品：SiC MOSFETS
產品類型：SiC MOSFETS
上升時間：22 ns
典型關閉延遲時間：126 ns
典型接通延遲時間：46 ns
型號
品牌
封裝
數量
描述
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