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英飞凌®64Mb HYPERRAM™器件是一种高速CMOS、自刷新DRAM，具有xSPI（八进制）接口。该DRAM阵列使用需要定期刷新的动态单元。当xSPI接口主站（主机）没有主动读写存储器时，器件内的刷新控制逻辑对DRAM阵列的刷新操作进行管理。由于主机不需要管理任何刷新操作，DRAM阵列在主机看来就像内存使用了静态单元，无需刷新即可保留数据。因此，该存储器被更准确地描述为伪静态RAM（PSRAM）。

由于DRAM单元在读或写交易期间不能被刷新，因此要求主机限制读或写突发传输的长度，以便在需要时进行内部逻辑刷新操作。如果存储器显示需要刷新操作，主机必须限制交易的持续时间，并在新交易开始时允许额外的初始访问延时。

S27KL0643DPBHB023产品属性：

系列： HyperRAM™ KL  

存储器类型： 易失  

存储器格式： PSRAM  

技术： PSRAM（伪 SRAM）  

存储容量： 64Mbit  

存储器组织： 8M x 8  

存储器接口： SPI - 八 I/O  

时钟频率： 166 MHz  

写周期时间 - 字，页： 36ns  

访问时间： 36 ns  

电压 - 供电： 2.7V ~ 3.6V  

工作温度： -40°C ~ 105°C（TA）  

安装类型： 表面贴装型  

封装/外壳： 24-VBGA  

供应商器件封装： 24-FBGA（6x8）

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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