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功率 MOSFET IQDH45N04LM6CGSC 具有 0.45 mOhm 的低 RDS(on)，同时具有出色的热性能，便于管理功率损耗。中心栅基底面针对并行化进行了优化。此外，与包覆封装相比，双面冷却封装的耗散功率提高了五倍。

这就为各种终端应用提供了更高的系统效率和功率密度。

产品属性（IQDH45N04LM6CGSC）

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-WHTFN-9

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 611 A

Rds On-漏源导通电阻: 490 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.3 V

Qg-栅极电荷: 62 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 333 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

配置: Single

下降时间: 14 ns

正向跨导 - 最小值: 185 S

产品类型: MOSFETs

上升时间: 6 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 49 ns

典型接通延迟时间: 9 ns

应用领域（IQDH45N04LM6CGSC）

低压驱动

电动工具

电信基础设施

服务器电源

计算和数据存储

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