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IQDH29NE2LM5CGSC：25V，N-通道功率 MOSFET 晶体管，PG-WHTFN-9

概述：

IQDH29NE2LM5CGSC - OptiMOS™ 功率 MOSFET 25V，采用 PQFN 5x6 下源中心栅 DSC 封装，具有业界领先的 RDS(on)。该器件具有业内最低的 0.29 mOhm RDS(on)，并具有出色的热性能，便于管理功率损耗。中心栅极基底面针对并行化进行了优化。此外，与包覆封装相比，双面冷却封装的耗散功率提高了五倍。这就为各种终端应用提供了更高的系统效率和功率密度。

IQDH29NE2LM5CGSC - 产品规格：

系列：OptiMOS™ 5

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：75A（Ta），789A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.29 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1.448mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：110 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：17000 pF @ 12 V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），278W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-WHTFN-9-U02

封装/外壳：9-PowerWDFN

应用领域：

电信基础设施

电源

服务器电源

计算和数据存储

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。