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GS-065-008-6-L-MR是一款增强型硅基氮化镓功率晶体管，具有大电流、高电压击穿和高开关频率等特性。

GS-065-008-6-L-MR采用底部冷却 PDFN 封装，结壳热阻极低，非常适合要求苛刻的大功率应用。这些特性结合在一起，确保了极高的功率开关效率。

型号: GS-065-008-6-L-MR

制造商: Infineon

产品种类: GaN 场效应晶体管

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PDFN-6

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 700 V

Id-连续漏极电流: 8.8 A

Rds On-漏源导通电阻: 235 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 7 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.6 V

Qg-栅极电荷: 1.6 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降时间: 8 ns

最大工作频率: > 1 MHz

最小工作频率: 0 Hz

aN F上升时间: 4.8 ns

技术: GaN-on-Si

典型关闭延迟时间: 6 ns

典型接通延迟时间: 2.4 ns

应用领域

AC-DC

USB供电-USB PD适配器和充电器

电源

计算和数据存储

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