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IMBG65R072M1H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。 该器件旨在提高系统性能，缩减尺寸，增强可靠性。

产品属性

FET 类型： N 通道  

技术： SiCFET（碳化硅）  

漏源电压（Vdss）： 650 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：33A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：94 毫欧 @ 13.3A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V @ 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：22 nC @ 18 V

Vgs（最大值）： +23V，-5V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：744 pF @ 400 V

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 140W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型  

供应商器件封装： PG-TO263-7-12  

封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

基本产品编号：IMBG65R

潜在应用

服务器

电信

开关电源 (SMPS)

太阳能系统

储能和电池系统

不间断电源 (UPS)

电动汽车充电

电机驱动器

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。