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S80KS2563GABHI020 伪静态随机存储器(PSRAM) HYPERRAM™是具备HyperBus™ 接口的高速CMOS自刷新DRAM。 其存储阵列的内部结构类似于DRAM，而外在行为则与SRAM相似。

DRAM阵列需要定期刷新以保持数据完整性。HyperRAM™可在主机未进行主动读取或写入存储器时，从内部实现DRAM阵列刷新操作。由于主机无需执行任何刷新操作，因此，在主机看来DRAM阵列是静态单元，可以保留数据而无需刷新。所以，HYPERRAM™被称为伪静态随机存储器 (PSRAM) 。

这些低功率、高性能、低引脚数pSRAM适用于需要额外的RAM来缓冲数据、音频、图像和视频等的应用，或者需要扩展存储器用作便笺式存储器，以进行数据密集型计算的应用。

产品规格：

存储器类型：易失

存储器格式：PSRAM

技术：PSRAM（伪 SRAM）

存储容量：256Mb

存储器组织：32M x 8

存储器接口：SPI - 八 I/O

时钟频率：200 MHz

写周期时间 - 字，页：35ns

访问时间：35 ns

电压 - 供电：1.7V ~ 2V

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：24-VBGA

供应商器件封装：24-FBGA（6x8）

基本产品编号：S80KS2563

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