NTD250N65S3H - 采用 TO-252 (DPAK) 封装的 650V、13A N 沟道功率 MOSFET 晶体管
型号：NTD250N65S3H
封装：TO-252-3
类型：MOSFET 晶体管
描述：N通道 650V 13A (Tc) 106W (Tc) 表面贴装 TO-252 (DPAK)
产品概述
SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的全新高压超级结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进技术专为最小化传导损耗、提供卓越开关性能及承受极高的 dv/dt 速率而定制。
产品特性
700 V @ TJ = 150°C
超低栅极电荷（典型值 Qg = 24 nC）
低有效输出电容（Typ. Coss(eff.) = 229 pF）
通过坚固的体二极管实现快速开关性能
100% 通过雪崩测试
符合 RoHS 规范
典型值 RDS(on) = 201 m Ω
内部栅极电阻： 0.9 Ω
应用
计算/显示器电源
电信/服务器电源
工业电源
照明/充电器/适配器
型号
品牌
封装
数量
描述
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