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NVMTS4D3N15MC 安森美半导体单N沟道功率MOSFET是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET，具有低RDS(on) 和低电容。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗，低电容可最大限度降低驱动器损耗。这些单N沟道功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，工作温度范围为- 55°C至175°。

产品属性

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Ta），165A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.45 毫欧 @ 95A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 521µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：79 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6514 pF @ 75 V

功率耗散（最大值）：5W（Ta），292W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-DFNW（8.3x8.4）

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。