商品名称：NXH010P90MNF1PTG
数据手册：
NXH010P90MNF1PTG.PDF
品牌：ON
年份：23+
封装：Module
货期：全新原装
库存数量：1000 件
NXH010P90MNF1PTG SiC模块在F1模块中包含一个10mΩ 900V SiC MOSFET半桥和一个NTC 热敏电阻。该模块的推荐栅极电压为15V至18V。在更高电压下具有改进的RDS(ON)，热阻低。
产品属性
技术：碳化硅（SiC）
配置：2 N 沟道（双）共源
漏源电压（Vdss）：900V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：154A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：14 毫欧 @ 100A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 40mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：546.4nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7007pF @ 450V
功率 - 最大值：328W（Tj）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
应用
● 太阳能逆变器
● 不间断电源
● 电动汽车充电站
● 工业电源
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
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