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LM74721QDRRRQ1理想二极管控制器可驱动和控制外部背靠背 N 沟道 MOSFET。以模拟理想二极管整流器，具有电源通路导通和关断控制以及过压保护功能。其3 V 至 65 V 的宽输入电源，可保护和控制 12 V 汽车电池供电的二极管整流器。12 V 汽车电池供电 ECU 的保护和控制。该器件可承受并保护负载免受负电源电压（低至 -33V）的影响。低至 -33 V DC 的负电源电压，并保护负载。一个集成的理想二极管控制器（GATE）驱动第一个 MOSFET，以取代肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持。

产品属性

类型：N+1 ORing 控制器

FET 类型：N 通道

比率 - 输入:输出：1：1

内部开关：无

电流 - 供电：27 µA

电压 - 供电：3V ~ 65V

工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：12-WFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：12-WSON（3x3）

应用

● 汽车电池保护

● ADAS 域控制器

● 摄像头、雷达 ECU

● 高级音频放大器

● 平视显示器

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