商品名称：LM74670QDGKRQ1
数据手册：
LM74670QDGKRQ1.pdf
品牌：TI
年份：23+
封装：8-VSSOP
货期：全新原装
库存数量：1000 件
LM74670QDGKRQ1是一款控制器器件，可与 N 沟道 MOSFET 一起在全或半全功能模式下使用。与 N 沟道 MOSFET 一起用于交流发电机的全桥或半桥整流器架构。它的设计用于驱动外部 MOSFET，以模拟理想二极管。全桥或半桥整流器和交流发电机中的肖特基二极管交流发电机中的肖特基二极管可以用 LM74670QDGKRQ1解决方案取代，以避免二极管正向导通损耗，并产生更高效的交直流转换器。
特征
● 通过 AEC-Q100 认证，结果如下：
● 器件温度等级 1：-40°C 至 +125°C 环境工作温度
● 超过 HBM ESD 等级 2
● 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
● 峰值输入 AC 电压：42 V
● 零 IQ
● 外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
● 低正向压降和更低功耗
● 可处理频率高达 300Hz 的交流信号频率
应用
● 交流整流器
● 交流发电机
● 电动工具
● 反极性保护
型号
品牌
封装
数量
描述
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